WFF7N65S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF7N65S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.57 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF7N65S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF7N65S даташит

 ..1. Size:282K  winsemi
 wff7n65s.pdf pdf_icon

WFF7N65S

WFF7N65S WFF7N65S WFF7N65S WFF7N65S 650V Super-Junction Power MOSFET 650V Super-Junction Power MOSFET 650V Super-Junction Power MOSFET 650V Super-Junction Power MOSFET Features D Ultra low Rdson Ultra low gate charge (typ. Qg =19nC) 100% UIS tested G RoHS compliant S General Description Power MOSFET is fabricated using advanced super junction technology. The re

 8.1. Size:722K  winsemi
 wff7n60.pdf pdf_icon

WFF7N65S

WFF7N60 WFF7N60 WFF7N60 WFF7N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 7A,600V,R (Max 1.2 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 29nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Descri

Другие IGBT... WFF5N65B, WFF5N80, WFF630, WFF634, WFF640, WFF730, WFF740, WFF7N60, IRLZ44N, WFF830, WFF840, WFF840B, WFF8N60, WFF8N60B, WFF8N65B, WFF9N50, WFF9N90