WFF840B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFF840B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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WFF840B datasheet

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WFF840B

WFF840B WFF840B WFF840B WFF840B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,500V, R (Max0.75 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usi

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WFF840B

WFF840 WFF840 WFF840 WFF840 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 8A,500V,RDS(on)(Max 0.8 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 48nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(15

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