Справочник MOSFET. WFF840B

 

WFF840B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFF840B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для WFF840B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF840B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  winsemi
 wff840b.pdf pdf_icon

WFF840B

WFF840BWFF840BWFF840BWFF840BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,500V, R (Max0.75)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

 8.1. Size:460K  winsemi
 wff840.pdf pdf_icon

WFF840B

WFF840WFF840WFF840WFF840Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 8A,500V,RDS(on)(Max 0.8)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 48nC)Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(15

Другие MOSFET... WFF634 , WFF640 , WFF730 , WFF740 , WFF7N60 , WFF7N65S , WFF830 , WFF840 , 10N60 , WFF8N60 , WFF8N60B , WFF8N65B , WFF9N50 , WFF9N90 , WFJ5N65B , WFJ8N65B , WFN1N60 .

History: SIHF830L | SLP7N80C | WFF730 | SIHF840 | IRFV260

 

 
Back to Top

 


 
.