WFF9N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFF9N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de WFF9N50 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WFF9N50 datasheet

 ..1. Size:1048K  winsemi
 wff9n50.pdf pdf_icon

WFF9N50

WFF9N50 WFF9N50 WFF9N50 WFF9N50 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,500V, R (Max0.75 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 30nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usi

 9.1. Size:512K  winsemi
 wff9n90.pdf pdf_icon

WFF9N50

WFF9N90 WFF9N90 WFF9N90 WFF9N90 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,900V, R (Max1.35 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mode p

Otros transistores... WFF7N60, WFF7N65S, WFF830, WFF840, WFF840B, WFF8N60, WFF8N60B, WFF8N65B, 10N60, WFF9N90, WFJ5N65B, WFJ8N65B, WFN1N60, WFN1N60N, WFP10N60, WFP10N65, WFP12N60