WFF9N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFF9N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для WFF9N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFF9N50 даташит

 ..1. Size:1048K  winsemi
 wff9n50.pdf pdf_icon

WFF9N50

WFF9N50 WFF9N50 WFF9N50 WFF9N50 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,500V, R (Max0.75 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 30nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usi

 9.1. Size:512K  winsemi
 wff9n90.pdf pdf_icon

WFF9N50

WFF9N90 WFF9N90 WFF9N90 WFF9N90 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,900V, R (Max1.35 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This N-Channel enhancement mode p

Другие IGBT... WFF7N60, WFF7N65S, WFF830, WFF840, WFF840B, WFF8N60, WFF8N60B, WFF8N65B, 10N60, WFF9N90, WFJ5N65B, WFJ8N65B, WFN1N60, WFN1N60N, WFP10N60, WFP10N65, WFP12N60