WFN1N60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFN1N60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm

Encapsulados: TO-92

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WFN1N60N datasheet

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WFN1N60N

WFN1N60N WFN1N60N WFN1N60N WFN1N60N Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 0.5A,600V,RDS(on)(Max15.0 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usin

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WFN1N60N

WFN1N60 WFN1N60 WFN1N60 WFN1N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 1.3A,600V, R (Max8.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 9.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description Th is Power MO SFET is produced

Otros transistores... WFF8N60, WFF8N60B, WFF8N65B, WFF9N50, WFF9N90, WFJ5N65B, WFJ8N65B, WFN1N60, 8205A, WFP10N60, WFP10N65, WFP12N60, WFP12N65, WFP12N65S, WFP13N50, WFP18N20, WFP18N50