WFN1N60N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WFN1N60N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.1 nC
Время нарастания (tr): 45 ns
Выходная емкость (Cd): 19 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 15 Ohm
Тип корпуса: TO-92
WFN1N60N Datasheet (PDF)
wfn1n60n.pdf
WFN1N60NWFN1N60NWFN1N60NWFN1N60NSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures0.5A,600V,RDS(on)(Max15.0)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usin
wfn1n60.pdf
WFN1N60WFN1N60WFN1N60WFN1N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 1.3A,600V, R (Max8.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 9.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionTh is Power MO SFET is produced
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
