WFN1N60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFN1N60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для WFN1N60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFN1N60N даташит

 ..1. Size:668K  winsemi
 wfn1n60n.pdf pdf_icon

WFN1N60N

WFN1N60N WFN1N60N WFN1N60N WFN1N60N Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 0.5A,600V,RDS(on)(Max15.0 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usin

 7.1. Size:396K  winsemi
 wfn1n60.pdf pdf_icon

WFN1N60N

WFN1N60 WFN1N60 WFN1N60 WFN1N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 1.3A,600V, R (Max8.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 9.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description Th is Power MO SFET is produced

Другие IGBT... WFF8N60, WFF8N60B, WFF8N65B, WFF9N50, WFF9N90, WFJ5N65B, WFJ8N65B, WFN1N60, 8205A, WFP10N60, WFP10N65, WFP12N60, WFP12N65, WFP12N65S, WFP13N50, WFP18N20, WFP18N50