WFP12N60 Todos los transistores

 

WFP12N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFP12N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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WFP12N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  winsemi
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WFP12N60

WFP12N60WFP12N60WFP12N60WFP12N60Silicon N-Channel MOSFETFeatures 12A, 600V,R (Max 0.65)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemis advancedplanar stripe, DMOS technology. This latest tech

 7.1. Size:380K  winsemi
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WFP12N60

WFP12N65WFP12N65WFP12N65WFP12N65Silicon N-Channel MOSFETFeatures 12A,650V,RDS(on)(Max0.78)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 51.7nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Po wer MOS FE T is pro du ced usi ng Win se mi s adva nce dplanar stripe, VDMOS technology. This late

 7.2. Size:266K  winsemi
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WFP12N60

WFP12N65SSuper-junction N-Channel Power MOSFET Features 12A,650V,R (Max0.30)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 84.4nC) High EAS energy 100%Avalanche Tested RoHS Compliant Maximum Junction Temperature Range(150) General Description This Super-junction Power MOSFET is produced using Winsemi's employs a deep trench filling process t

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