WFP12N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WFP12N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 43 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 180 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.65 Ohm
Тип корпуса: TO-220
WFP12N60 Datasheet (PDF)
wfp12n60.pdf
WFP12N60WFP12N60WFP12N60WFP12N60Silicon N-Channel MOSFETFeatures 12A, 600V,R (Max 0.65)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemis advancedplanar stripe, DMOS technology. This latest tech
wfp12n65.pdf
WFP12N65WFP12N65WFP12N65WFP12N65Silicon N-Channel MOSFETFeatures 12A,650V,RDS(on)(Max0.78)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 51.7nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Po wer MOS FE T is pro du ced usi ng Win se mi s adva nce dplanar stripe, VDMOS technology. This late
wfp12n65s.pdf
WFP12N65SSuper-junction N-Channel Power MOSFET Features 12A,650V,R (Max0.30)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 84.4nC) High EAS energy 100%Avalanche Tested RoHS Compliant Maximum Junction Temperature Range(150) General Description This Super-junction Power MOSFET is produced using Winsemi's employs a deep trench filling process t
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
