WFP12N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WFP12N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: TO-220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
WFP12N60 Datasheet (PDF)
wfp12n60.pdf

WFP12N60WFP12N60WFP12N60WFP12N60Silicon N-Channel MOSFETFeatures 12A, 600V,R (Max 0.65)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemis advancedplanar stripe, DMOS technology. This latest tech
wfp12n65.pdf

WFP12N65WFP12N65WFP12N65WFP12N65Silicon N-Channel MOSFETFeatures 12A,650V,RDS(on)(Max0.78)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 51.7nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Po wer MOS FE T is pro du ced usi ng Win se mi s adva nce dplanar stripe, VDMOS technology. This late
wfp12n65s.pdf

WFP12N65SSuper-junction N-Channel Power MOSFET Features 12A,650V,R (Max0.30)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 84.4nC) High EAS energy 100%Avalanche Tested RoHS Compliant Maximum Junction Temperature Range(150) General Description This Super-junction Power MOSFET is produced using Winsemi's employs a deep trench filling process t
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: AP3P7R0EP | P0908ATF | 2SK2424 | 2SK4108 | JCS2N60MB | CM20N50P | AP9997GP-HF
History: AP3P7R0EP | P0908ATF | 2SK2424 | 2SK4108 | JCS2N60MB | CM20N50P | AP9997GP-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet