WFP13N50 Todos los transistores

 

WFP13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFP13N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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WFP13N50 Datasheet (PDF)

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WFP13N50

WFP13N50WFP13N50WFP13N50WFP13N50Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 13A,500V, R (Max0.46)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produce

Otros transistores... WFJ8N65B , WFN1N60 , WFN1N60N , WFP10N60 , WFP10N65 , WFP12N60 , WFP12N65 , WFP12N65S , IRFP260 , WFP18N20 , WFP18N50 , WFP2N60 , WFP2N60B , WFP3205 , WFP3205T , WFP4N60 , WFP50N06 .

History: AM6411P | SM3106NSU | AP60P20Q | IXTY1N80

 

 
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