WFP13N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP13N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP13N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP13N50 даташит

 ..1. Size:558K  winsemi
 wfp13n50.pdf pdf_icon

WFP13N50

WFP13N50 WFP13N50 WFP13N50 WFP13N50 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 13A,500V, R (Max0.46 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produce

Другие IGBT... WFJ8N65B, WFN1N60, WFN1N60N, WFP10N60, WFP10N65, WFP12N60, WFP12N65, WFP12N65S, 2SK3878, WFP18N20, WFP18N50, WFP2N60, WFP2N60B, WFP3205, WFP3205T, WFP4N60, WFP50N06