WFP2N60 Todos los transistores

 

WFP2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFP2N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de WFP2N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WFP2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:629K  winsemi
 wfp2n60.pdf pdf_icon

WFP2N60

WFP2N60WFP2N60WFP2N60WFP2N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 2A,600V, RDS(on)(Max 5)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 15nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Wins

 0.1. Size:549K  winsemi
 wfp2n60b.pdf pdf_icon

WFP2N60

WFP2N60BWFP2N60BWFP2N60BWFP2N60BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 2A,600V, R (Max 5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.0nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced u

Otros transistores... WFP10N60 , WFP10N65 , WFP12N60 , WFP12N65 , WFP12N65S , WFP13N50 , WFP18N20 , WFP18N50 , IRF1010E , WFP2N60B , WFP3205 , WFP3205T , WFP4N60 , WFP50N06 , WFP50N06C , WFP5N50 , WFP5N60 .

History: ELM14407AA | MSF15N60 | LND150N8 | HRLF150N10K | SJMN070R60SW | 2SK1958 | SI1480DH

 

 
Back to Top

 


 
.