WFP650 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFP650

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 240 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: TO-220

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WFP650 datasheet

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WFP650

WFP650 WFP650 WFP650 WFP650 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 28A, 200v, R (on)=0.09 @V =10V DS GS Low gate charge (typical 95 nC) Low crss (typical 75 pF) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability General Description These N-Channel enhancement mode power

Otros transistores... WFP50N06C, WFP5N50, WFP5N60, WFP5N60B, WFP5N80, WFP630, WFP634, WFP640, IRF1010E, WFP70N06, WFP70N06T, WFP730, WFP740, WFP7N60, WFP830, WFP830B, WFP840