WFP650 Todos los transistores

 

WFP650 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFP650
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 240 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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WFP650 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  winsemi
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WFP650

WFP650WFP650WFP650WFP650Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 28A, 200v, R (on)=0.09 @V =10VDS GS Low gate charge (typical 95 nC) Low crss (typical 75 pF) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityGeneral DescriptionThese N-Channel enhancement mode power

Otros transistores... WFP50N06C , WFP5N50 , WFP5N60 , WFP5N60B , WFP5N80 , WFP630 , WFP634 , WFP640 , IRF1010E , WFP70N06 , WFP70N06T , WFP730 , WFP740 , WFP7N60 , WFP830 , WFP830B , WFP840 .

History: AFN4440W | SFG10R20AF | WFP5N60B | SM2603PSC | GP2M009A090NG | MPF930 | IRFH8201

 

 
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