WFP650 - аналоги и даташиты транзистора

 

WFP650 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WFP650
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 240 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP650

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP650 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  winsemi
 wfp650.pdf pdf_icon

WFP650

WFP650WFP650WFP650WFP650Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 28A, 200v, R (on)=0.09 @V =10VDS GS Low gate charge (typical 95 nC) Low crss (typical 75 pF) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityGeneral DescriptionThese N-Channel enhancement mode power

Другие MOSFET... WFP50N06C , WFP5N50 , WFP5N60 , WFP5N60B , WFP5N80 , WFP630 , WFP634 , WFP640 , IRF1010E , WFP70N06 , WFP70N06T , WFP730 , WFP740 , WFP7N60 , WFP830 , WFP830B , WFP840 .

History: CSD13306W | GP2M009A090NG | WFP5N60B | 7NM65L-TF1-T | PMGD280UN | 7NM65L-TF3-T | AP4438BGM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.