WFP650. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WFP650

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 240 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP650

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP650 даташит

 ..1. Size:617K  winsemi
 wfp650.pdf pdf_icon

WFP650

WFP650 WFP650 WFP650 WFP650 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 28A, 200v, R (on)=0.09 @V =10V DS GS Low gate charge (typical 95 nC) Low crss (typical 75 pF) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability General Description These N-Channel enhancement mode power

Другие IGBT... WFP50N06C, WFP5N50, WFP5N60, WFP5N60B, WFP5N80, WFP630, WFP634, WFP640, IRF1010E, WFP70N06, WFP70N06T, WFP730, WFP740, WFP7N60, WFP830, WFP830B, WFP840