Справочник MOSFET. WFP650

 

WFP650 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP650
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 240 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP650

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP650 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  winsemi
 wfp650.pdf pdf_icon

WFP650

WFP650WFP650WFP650WFP650Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 28A, 200v, R (on)=0.09 @V =10VDS GS Low gate charge (typical 95 nC) Low crss (typical 75 pF) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityGeneral DescriptionThese N-Channel enhancement mode power

Другие MOSFET... WFP50N06C , WFP5N50 , WFP5N60 , WFP5N60B , WFP5N80 , WFP630 , WFP634 , WFP640 , IRF530 , WFP70N06 , WFP70N06T , WFP730 , WFP740 , WFP7N60 , WFP830 , WFP830B , WFP840 .

History: SUD40N08-16 | PSMN4R4-80PS | RQA0009SXAQS

 

 
Back to Top

 


 
.