WFU5N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFU5N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 61 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: TO-251

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WFU5N50 datasheet

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WFU5N50

WFU5N50 WFU5N50 WFU5N50 WFU5N50 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 5A,500V,RDS(on)(Max1.6 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MO SFET is pro du ced using Wi

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WFU5N50

WFU5N60 WFU5N60 WFU5N60 WFU5N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,600V,R (Max2.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usi

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WFU5N50

WFU5N60B WFU5N60B WFU5N60B WFU5N60B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 4.5A,600V,R (Max2.4 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 15nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced

Otros transistores... WFP8N60B, WFP9N20, WFU1N60, WFU1N60N, WFU20N06, WFU2N60, WFU2N60B, WFU4N60, SI2302, WFU5N60, WFU5N60B, WFU730, WFU830, WFW064N, WFW13N50, WFW18N50, WFW18N50N