WFW18N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFW18N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 280 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 42 nC

Tiempo de elevación (tr): 40 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.27 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WFW18N50

WFW18N50 Datasheet (PDF)

1.1. wfw18n50.pdf Size:423K _winsemi

WFW18N50 WFW18N50 WFW18N50 WFW18N50 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features ■ 18A,500V,R (Max0.27Ω)@V =10V DS(on) GS ■ Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description These N-Channel enhancement

1.2. wfw18n50w.pdf Size:804K _winsemi

WFW18N50W WFW18N50W WFW18N50W WFW18N50W Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features ■ 18A,500V,R (Max0.27Ω)@V =10V DS(on) GS ■ Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description This Power MOSFET is prod

1.3. wfw18n50n.pdf Size:794K _winsemi

WFW18N50N WFW18N50N WFW18N50N WFW18N50N Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features ■ 18A,500V,R (Max0.27Ω)@V =10V DS(on) GS ■ Ultra-low Gate charge(Typical 42nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description This Power MOSFET is prod

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Liste

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