WFW20N60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFW20N60W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 150 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 420 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.39 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WFW20N60W
WFW20N60W Datasheet (PDF)
wfw20n60w.pdf
WFW20N60WWFW20N60WWFW20N60WWFW20N60WSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 20A,600V,R (Max0.39)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 150nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is pro
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