WFW20N60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFW20N60W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de WFW20N60W MOSFET
WFW20N60W Datasheet (PDF)
wfw20n60w.pdf

WFW20N60WWFW20N60WWFW20N60WWFW20N60WSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 20A,600V,R (Max0.39)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 150nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is pro
Otros transistores... WFU5N60B , WFU730 , WFU830 , WFW064N , WFW13N50 , WFW18N50 , WFW18N50N , WFW18N50W , MMIS60R580P , WFW24N50N , WFW24N50W , WFW40N25W , WFW9N90 , WFW9N90W , WFY3N02 , WFY3P02 , WFY4101 .
History: BL25N50-W | AP9965GEM | IRFS732 | JCS1404C | PMDPB38UNE | WFF630 | HY4306B6
History: BL25N50-W | AP9965GEM | IRFS732 | JCS1404C | PMDPB38UNE | WFF630 | HY4306B6



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
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