WFW20N60W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFW20N60W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 150 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm

Encapsulados: TO-247

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WFW20N60W datasheet

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WFW20N60W

WFW20N60W WFW20N60W WFW20N60W WFW20N60W Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 20A,600V,R (Max0.39 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 150nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is pro

Otros transistores... WFU5N60B, WFU730, WFU830, WFW064N, WFW13N50, WFW18N50, WFW18N50N, WFW18N50W, P60NF06, WFW24N50N, WFW24N50W, WFW40N25W, WFW9N90, WFW9N90W, WFY3N02, WFY3P02, WFY4101