PMCXB900UE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMCXB900UE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.265 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1010B-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMCXB900UE

PMCXB900UE Datasheet (PDF)

..1. Size:312K nxp
pmcxb900ue.pdf

PMCXB900UE20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET30 June 2015 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in aleadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold vo

0.1. Size:795K nxp
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PMCXB900UEL20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET28 June 2016 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in aleadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology

9.1. Size:775K nxp
pmcxb1000ue.pdf

PMCXB1000UE30 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET27 June 2016 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultrasmall DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold v

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Liste

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