PMCXB900UE - аналоги и даташиты транзистора

 

PMCXB900UE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMCXB900UE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.265 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
   Тип корпуса: DFN1010B-6
 

 Аналог (замена) для PMCXB900UE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMCXB900UE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  nxp
 pmcxb900ue.pdf pdf_icon

PMCXB900UE

PMCXB900UE20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET30 June 2015 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in aleadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold vo

 0.1. Size:795K  nxp
 pmcxb900uel.pdf pdf_icon

PMCXB900UE

PMCXB900UEL20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET28 June 2016 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in aleadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology

 9.1. Size:775K  nxp
 pmcxb1000ue.pdf pdf_icon

PMCXB900UE

PMCXB1000UE30 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET27 June 2016 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultrasmall DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold v

Другие MOSFET... WFW9N90W , WFY3N02 , WFY3P02 , WFY4101 , WFY5N03 , WFY5P03 , WFY6N02 , PMCPB5530X , HY1906P , PMDPB28UN , PMDPB30XN , PMDPB38UNE , PMDPB42UN , PMDPB55XP , PMDPB56XN , PMDPB58UPE , PMDPB70EN .

History: QJD1210007 | JCS2N65CB | IRF7606PBF | IRF7704GPBF | CSD18503KCS | STB14NK60Z-1 | HFS8N80

 

 
Back to Top

 


 
.