PMCXB900UE. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PMCXB900UE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.265 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.4 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
Тип корпуса: DFN1010B-6
Аналог (замена) для PMCXB900UE
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PMCXB900UE даташит
pmcxb900ue.pdf
PMCXB900UE 20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET 30 June 2015 Product data sheet 1. General description Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold vo
pmcxb900uel.pdf
PMCXB900UEL 20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET 28 June 2016 Product data sheet 1. General description Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology
pmcxb1000ue.pdf
PMCXB1000UE 30 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET 27 June 2016 Product data sheet 1. General description Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold v
Другие IGBT... WFW9N90W, WFY3N02, WFY3P02, WFY4101, WFY5N03, WFY5P03, WFY6N02, PMCPB5530X, AON7403, PMDPB28UN, PMDPB30XN, PMDPB38UNE, PMDPB42UN, PMDPB55XP, PMDPB56XN, PMDPB58UPE, PMDPB70EN
History: IRHMB57064
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130



