Справочник MOSFET. PMCXB900UE

 

PMCXB900UE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PMCXB900UE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.265 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.95 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 0.4 nC
   Время нарастания (tr): 9.2 ns
   Выходная емкость (Cd): 5.4 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.62 Ohm
   Тип корпуса: DFN1010B-6

 Аналог (замена) для PMCXB900UE

 

 

PMCXB900UE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  nxp
pmcxb900ue.pdf

PMCXB900UE PMCXB900UE

PMCXB900UE20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET30 June 2015 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in aleadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold vo

 0.1. Size:795K  nxp
pmcxb900uel.pdf

PMCXB900UE PMCXB900UE

PMCXB900UEL20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET28 June 2016 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in aleadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Trench MOSFET technology

 9.1. Size:775K  nxp
pmcxb1000ue.pdf

PMCXB900UE PMCXB900UE

PMCXB1000UE30 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET27 June 2016 Product data sheet1. General descriptionComplementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultrasmall DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very low threshold v

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top