PMF77XN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMF77XN
   Código: V9*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.27 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 1.9 nC
   Tiempo de subida (tr): 19 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 31 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.097 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70

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PMF77XN Datasheet (PDF)

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pmf77xn.pdf

PMF77XN30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 27 March 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast

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Liste

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