PMF77XN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMF77XN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.097 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-70
Búsqueda de reemplazo de PMF77XN MOSFET
PMF77XN Datasheet (PDF)
pmf77xn.pdf

PMF77XN30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 27 March 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast
Otros transistores... PMDT290UCE , PMDT290UNE , PMDT670UPE , PMDXB1200UPE , PMDXB550UNE , PMDXB600UNE , PMDXB950UPE , PMF63UN , IRF1404 , PMF87EN , PMFPB8032XP , PMFPB8040XP , PMG45UN , PMGD130UN , PMGD175XN , PMGD290UCEA , PMN22XN .
History: OSG55R160FZF | 2SK1004 | OSG55R074HSZF | OSG65R074FT3ZF
History: OSG55R160FZF | 2SK1004 | OSG55R074HSZF | OSG65R074FT3ZF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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