PMF77XN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMF77XN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.097 Ohm
Тип корпуса: SC-70
Аналог (замена) для PMF77XN
PMF77XN Datasheet (PDF)
pmf77xn.pdf

PMF77XN30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 27 March 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast
Другие MOSFET... PMDT290UCE , PMDT290UNE , PMDT670UPE , PMDXB1200UPE , PMDXB550UNE , PMDXB600UNE , PMDXB950UPE , PMF63UN , IRF1404 , PMF87EN , PMFPB8032XP , PMFPB8040XP , PMG45UN , PMGD130UN , PMGD175XN , PMGD290UCEA , PMN22XN .
History: DACMH200N1200 | APT30M40LVR | IPP085N06LG | IXTH4N150 | IXFR44N50Q | APT10M25BVR | APT5010B2VR
History: DACMH200N1200 | APT30M40LVR | IPP085N06LG | IXTH4N150 | IXFR44N50Q | APT10M25BVR | APT5010B2VR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646