PMF77XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PMF77XN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.097 Ohm
Тип корпуса: SC-70
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PMF77XN Datasheet (PDF)
pmf77xn.pdf

PMF77XN30 V, single N-channel Trench MOSFETRev. 1 27 March 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: CET04N10 | STD3N30T4 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13
History: CET04N10 | STD3N30T4 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646