PMF77XN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMF77XN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.097 Ohm

Тип корпуса: SC-70

Аналог (замена) для PMF77XN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF77XN даташит

 ..1. Size:869K  nxp
 pmf77xn.pdf pdf_icon

PMF77XN

PMF77XN 30 V, single N-channel Trench MOSFET Rev. 1 27 March 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast

Другие IGBT... PMDT290UCE, PMDT290UNE, PMDT670UPE, PMDXB1200UPE, PMDXB550UNE, PMDXB600UNE, PMDXB950UPE, PMF63UN, IRF1404, PMF87EN, PMFPB8032XP, PMFPB8040XP, PMG45UN, PMGD130UN, PMGD175XN, PMGD290UCEA, PMN22XN