PMN27XPEA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMN27XPEA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.53 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 254 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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PMN27XPEA datasheet

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PMN27XPEA

PMN27XPEA 20 V, single P-channel Trench MOSFET 19 June 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology 2 kV ESD protection AEC-Q101 qualified 3. A

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PMN27XPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET 20 September 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology 2 kV ESD protection 1.

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PMN27UP 20 V, 5.7 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 13 July 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated Trench MOSFET technology Very fast switch

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