PMN40UPE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMN40UPE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 207 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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PMN40UPE datasheet

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PMN40ENE 30 V, N-channel Trench MOSFET 24 May 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching Enhanced power dissipatio

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PMN40ENA 60 V, N-channel Trench MOSFET 11 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology AE

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