PMV50XP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMV50XP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.49 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO-236AB

 Búsqueda de reemplazo de PMV50XP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PMV50XP datasheet

 ..1. Size:251K  nxp
 pmv50xp.pdf pdf_icon

PMV50XP

PMV50XP 20 V, P-channel Trench MOSFET 19 November 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology Enhanced power

 9.1. Size:721K  nxp
 pmv50upe.pdf pdf_icon

PMV50XP

PMV50UPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET 20 July 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 3 kV ESD protected Trench MOSFET technology Low threshold voltage

 9.2. Size:361K  tysemi
 pmv50upe.pdf pdf_icon

PMV50XP

Otros transistores... PMV20XNE, PMV250EPEA, PMV27UPE, PMV30UN2, PMV37EN2, PMV40UN2, PMV45EN2, PMV48XPA, IRF520, PMV65XPE, PMV65XPEA, PMV75UP, PMXB120EPE, PMXB350UPE, PMXB360ENEA, PMXB40UNE, PMXB43UNE