PMV50XP Todos los transistores

 

PMV50XP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMV50XP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.49 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-236AB
 

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PMV50XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  nxp
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PMV50XP20 V, P-channel Trench MOSFET19 November 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology Enhanced power

 9.1. Size:721K  nxp
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PMV50UPE20 V, single P-channel Trench MOSFET20 July 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.1.2 Features and benefits 3 kV ESD protected Trench MOSFET technology Low threshold voltage

 9.2. Size:361K  tysemi
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PMV50XP

Product specificationPMV50UPE20 V, single P-channel Trench MOSFET20 July 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.1.2 Features and benefits 3 kV ESD protected Trench MOSFET technology

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History: H5N60U | NTLJS17D0P03P8Z | IPB100N06S3-04 | H5N2522LS | NCEP4045GU | AP40P03GH | EFC4615R

 

 
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