PMV50XP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV50XP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-236AB

Аналог (замена) для PMV50XP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV50XP даташит

 ..1. Size:251K  nxp
 pmv50xp.pdf pdf_icon

PMV50XP

PMV50XP 20 V, P-channel Trench MOSFET 19 November 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology Enhanced power

 9.1. Size:721K  nxp
 pmv50upe.pdf pdf_icon

PMV50XP

PMV50UPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET 20 July 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 3 kV ESD protected Trench MOSFET technology Low threshold voltage

 9.2. Size:361K  tysemi
 pmv50upe.pdf pdf_icon

PMV50XP

Другие IGBT... PMV20XNE, PMV250EPEA, PMV27UPE, PMV30UN2, PMV37EN2, PMV40UN2, PMV45EN2, PMV48XPA, IRF520, PMV65XPE, PMV65XPEA, PMV75UP, PMXB120EPE, PMXB350UPE, PMXB360ENEA, PMXB40UNE, PMXB43UNE