PMZ290UNE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMZ290UNE
   Código: ZS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.95 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMZ290UNE

PMZ290UNE Datasheet (PDF)

..1. Size:211K nxp
pmz290une.pdf

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0.1. Size:223K nxp
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PMZ290UNE220 V, N-channel Trench MOSFET24 March 2015 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching El

6.1. Size:212K nxp
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PMZ290UN20 V, single N-channel Trench MOSFET6 November 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless and ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Fast switching Trench MOSFET technology Low threshold voltage

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Liste

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