PMZ350UPE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMZ350UPE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: DFN1006-3

 Búsqueda de reemplazo de PMZ350UPE MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PMZ350UPE datasheet

 ..1. Size:203K  nxp
pmz350upe.pdf pdf_icon

PMZ350UPE

PMZ350UPE 20 V, P-channel Trench MOSFET 14 May 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Elect

Otros transistores... PMXB75UPE, PMZ1200UPE, PMZ130UNE, PMZ200UNE, PMZ290UN, PMZ290UNE, PMZ290UNE2, PMZ320UPE, K2611, PMZ370UNE, PMZ390UNE, PMZ550UNE, PMZ600UNE, PMZ950UPE, PMZB1200UPE, PMZB150UNE, PMZB200UNE