Справочник MOSFET. PMZ350UPE

 

PMZ350UPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZ350UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3
 

 Аналог (замена) для PMZ350UPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ350UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  nxp
 pmz350upe.pdf pdf_icon

PMZ350UPE

PMZ350UPE20 V, P-channel Trench MOSFET14 May 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Elect

Другие MOSFET... PMXB75UPE , PMZ1200UPE , PMZ130UNE , PMZ200UNE , PMZ290UN , PMZ290UNE , PMZ290UNE2 , PMZ320UPE , IRF9640 , PMZ370UNE , PMZ390UNE , PMZ550UNE , PMZ600UNE , PMZ950UPE , PMZB1200UPE , PMZB150UNE , PMZB200UNE .

History: FQD10N20TM | DMN2112SN | AM20N10-180D | GP1M003A080XX | NDB710BE | STW6N95K5 | AM4541C

 

 
Back to Top

 


 
.