PMZ350UPE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMZ350UPE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
Тип корпуса: DFN1006-3
Аналог (замена) для PMZ350UPE
PMZ350UPE Datasheet (PDF)
pmz350upe.pdf

PMZ350UPE20 V, P-channel Trench MOSFET14 May 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Elect
Другие MOSFET... PMXB75UPE , PMZ1200UPE , PMZ130UNE , PMZ200UNE , PMZ290UN , PMZ290UNE , PMZ290UNE2 , PMZ320UPE , IRFZ48N , PMZ370UNE , PMZ390UNE , PMZ550UNE , PMZ600UNE , PMZ950UPE , PMZB1200UPE , PMZB150UNE , PMZB200UNE .
History: BUK7Y4R8-60E | BUK7Y25-60E | NVMFS5C456N | SFB082N165C3 | GP2M013A050F | IRHLUC7670Z4
History: BUK7Y4R8-60E | BUK7Y25-60E | NVMFS5C456N | SFB082N165C3 | GP2M013A050F | IRHLUC7670Z4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906