PMZB600UNE Todos los transistores

 

PMZB600UNE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMZB600UNE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006B-3
 

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PMZB600UNE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  nxp
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PMZB600UNE20 V, N-channel Trench MOSFET21 July 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 0.6

 0.1. Size:721K  nxp
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PMZB600UNEL20 V, N-channel Trench MOSFET5 December 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3(SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 0.6

 9.1. Size:957K  nxp
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PMZB670UPE20 V, single P-channel Trench MOSFETRev. 3 23 March 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection u

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History: NCE65N260 | AP4415GJ-HF | AP62T02GJ | AOD32334C | 2SK2701A | PN4117A | BLS60R150-F

 

 
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