PMZB600UNE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMZB600UNE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.4 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
Тип корпуса: DFN1006B-3
Аналог (замена) для PMZB600UNE
PMZB600UNE Datasheet (PDF)
pmzb600une.pdf

PMZB600UNE20 V, N-channel Trench MOSFET21 July 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 0.6
pmzb600unel.pdf

PMZB600UNEL20 V, N-channel Trench MOSFET5 December 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3(SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 0.6
pmzb670upe.pdf

PMZB670UPE20 V, single P-channel Trench MOSFETRev. 3 23 March 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection u
Другие MOSFET... PMZB300XN , PMZB320UPE , PMZB350UPE , PMZB370UNE , PMZB380XN , PMZB390UNE , PMZB420UN , PMZB550UNE , IRFP460 , PMZB670UPE , PMZB790SN , PMZB950UPE , PNM23T100V6 , PNM23T703E0-2 , PNM523T201E0 , PNM523T703E0-2 , PNM723T201E0 .
History: CHM1012LPAGP | PMZ950UPE | DCC160M120G1 | HUFA75639S3S | IRF122 | 2N65G-TMS4-T | SWP088R08E8T
History: CHM1012LPAGP | PMZ950UPE | DCC160M120G1 | HUFA75639S3S | IRF122 | 2N65G-TMS4-T | SWP088R08E8T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet