PNM523T201E0 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PNM523T201E0

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: SOT-523

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PNM523T201E0 datasheet

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PNM523T201E0

PNM523T201E0 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D 3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary V (V) R ( ) I (A) DS DS(on) D 0.2@ V =4.5V GS G 1 20 0.25@ VGS=2.5V 1 0.31@ V =1.8V GS S 2 Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage V 20

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PNM523T201E0

PNM523T703E0-2 N-Channel MOSFET Description PNM523T703E0-2 is designed for high speed switching applications The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) VGS(th)(V) ID(A) G 1 40 2.0@ VGS=10V 0.5 to 1.3 0.18 S 2 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specifi

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PNM523T201E0

PNM523T30V01 N-Channel MOSFET Description PNM523T30V01 is designed for high speed switching applications The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary V (V) R ( ) V (V) I (A) DS DS(on) GS(th) D 30 7@ V =2.5V,I =10mA 0.5 to 1.5 0.1 GS D G 1 S 2 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise spec

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