PNMIP600V1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PNMIP600V1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm

Encapsulados: TO-251

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PNMIP600V1 datasheet

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PNMIP600V1

PNMDP600V1 PNMIP600V1 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 7.5@ VGS=10V 1.3 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Dr

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PNMIP600V1

PNMDP600V4 PNMIP600V4 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 1.9@ VGS=10V 4 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Drai

 5.2. Size:113K  prisemi
 pnmdp600v2 pnmip600v2.pdf pdf_icon

PNMIP600V1

PNMDP600V2 PNMIP600V2 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 2 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 600 3.6@ VGS=10V 2 G 1 S 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTERISTICS Drai

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