PNMT30V6 Todos los transistores

 

PNMT30V6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PNMT30V6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de PNMT30V6 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PNMT30V6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  prisemi
 pnmt30v6.pdf pdf_icon

PNMT30V6

PNMT30V6 N-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 30 0.030@ VGS=10V 5.8G1 S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTERISTICS Drain-Source Br

Otros transistores... PNMDP600V1 , PNMDP600V2 , PNMDP600V4 , PNMET20V06E , PNMIP600V1 , PNMIP600V2 , PNMIP600V4 , PNMT20V3 , IRF4905 , PNMT45V2 , PNMT50V02E , PNMT60V02 , PNMT60V02E , PNMT60V3 , PNMTO600V2 , PNMTO600V4 , PNMTO600V5 .

 

 
Back to Top

 


 
.