PPM6N20V10 Todos los transistores

 

PPM6N20V10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PPM6N20V10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
 

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PPM6N20V10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  prisemi
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PPM6N20V10

PPM6N20V10 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) -20 14 @ VGS=-4.5V -10Bottom View Internal structure D D G 3 2 11 6 D D2 5 D D 3 4 G S6 5 4D D S Absolute m

 9.1. Size:1131K  prisemi
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PPM6N20V10

PPM6N12V10P-Channel MOSFETDescriptionThe enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance.MOSFET Product SummaryV (V) R (m) I (A)DS DS(on) D-12 12 @ V =-4.5V -10GSInternal structureBottom ViewD D G3216D1D5DD2D S4SG36 5 4D DSAbsolute maximum ratin

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History: AP9962AGM-HF | FQPF6N80 | NCEP0218G

 

 
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