PPM723T201E0 Todos los transistores

 

PPM723T201E0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PPM723T201E0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-723
 

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PPM723T201E0 Datasheet (PDF)

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 ppm723t201e0.pdf pdf_icon

PPM723T201E0

PPM723T201E0 P-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary V (V) R () I (mA) DS DS(on) D0.45@ V =-4.5V GSG1 -20 0.62@ V =-2.5V -800 GS0.86@ V =-1.8V GSS2Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Vol

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History: AONS21307 | SM8A01NSW | VN2460N3 | FDB86563-F085 | SHD219402 | AONS66612T | AP8604CDT

 

 
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