PPM723T201E0 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PPM723T201E0

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: SOT-723

 Búsqueda de reemplazo de PPM723T201E0 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PPM723T201E0 datasheet

 ..1. Size:255K  prisemi
 ppm723t201e0.pdf pdf_icon

PPM723T201E0

PPM723T201E0 P-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D 3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary V (V) R ( ) I (mA) DS DS(on) D 0.45@ V =-4.5V GS G 1 -20 0.62@ V =-2.5V -800 GS 0.86@ V =-1.8V GS S 2 Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Vol

Otros transistores... PNMTOF650V13, PNMUT20V06, PNMVT20V03E, PPF240M, PPM3T20V6, PPM523T201E0, PPM6N12V10, PPM6N20V10, BS170, PPM8P30V10, PPMDP100V10, PPMET20V08, PPMET20V08E, PPMS8N20V3, PPMT12V4, PPMT20V3, PPMT20V4E