PPM723T201E0 - аналоги и даташиты транзистора

 

PPM723T201E0 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PPM723T201E0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-723
 

 Аналог (замена) для PPM723T201E0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPM723T201E0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  prisemi
 ppm723t201e0.pdf pdf_icon

PPM723T201E0

PPM723T201E0 P-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary V (V) R () I (mA) DS DS(on) D0.45@ V =-4.5V GSG1 -20 0.62@ V =-2.5V -800 GS0.86@ V =-1.8V GSS2Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Vol

Другие MOSFET... PNMTOF650V13 , PNMUT20V06 , PNMVT20V03E , PPF240M , PPM3T20V6 , PPM523T201E0 , PPM6N12V10 , PPM6N20V10 , CS150N03A8 , PPM8P30V10 , PPMDP100V10 , PPMET20V08 , PPMET20V08E , PPMS8N20V3 , PPMT12V4 , PPMT20V3 , PPMT20V4E .

History: OSG65R650D | HM25N06D | DMP10H4D2S | SVT10111ND | JMSL1006AGQ | AOTF9N90 | AOTF8N80

 

 
Back to Top

 


 
.