PPMT20V3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PPMT20V3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 VCossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PPMT20V3
PPMT20V3 Datasheet (PDF)
ppmt20v3.pdf
PPMT20V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) G10.08 @ VGS=-4.5V -20 -2.8 0.11@ VGS=-2.5V S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARACTE
ppmt20v4e.pdf
PPMT20V4E P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary V (V) R () I (A) DS DS(on) DG1-20 0.037 @ V =-4.5V -4 GSS2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage V -20VDSGate-Source Voltage V 10 V GSDrain Current Contin
ppmt2301.pdf
PPMT2301P-Channel MOSFETDescription Trench Power LV MOSFET technology High Power and Current handing capability Low Gate ChargeMOSFET Product SummaryVDS(V) RDS(on)(m) ID(A)Top View90@VGS = -4.5V-20 -4.0135@VGS = -2.5VApplications PWM applications Load switch Circuit Diagram Power management2301Marking (Top View)Absolute maximum rating@25
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History: BSS84W
History: BSS84W
Liste
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