PS04P30SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PS04P30SA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.3 V
Carga de la puerta (Qg): 9.5 nC
Tiempo de subida (tr): 3.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
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PS04P30SA Datasheet (PDF)
ps04p30sa.pdf
PS04P30SA 30V Single Channel PMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS04P30SA 30V Single Channel PMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applicationsThe PS04P30SA uses advanced trench technology Load switchand design to provide excellent Rds(on) with low Power managementgate charge and operation with gate vol
ps04p30sb.pdf
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