PS04P30SA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PS04P30SA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PS04P30SA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PS04P30SA даташит

 ..1. Size:353K  prospower
 ps04p30sa.pdf pdf_icon

PS04P30SA

PS04P30SA 30V Single Channel PMOSEFT Revision 1.0 Update Date Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., Ltd PS04P30SA 30V Single Channel PMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applications The PS04P30SA uses advanced trench technology Load switch and design to provide excellent Rds(on) with low Power management gate charge and operation with gate vol

 6.1. Size:337K  prospower
 ps04p30sb.pdf pdf_icon

PS04P30SA

PS04P30SB 30V Single Channel PMOSEFT Revision 1.0 Update Date Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., Ltd PS04P30SB 30V Single Channel PMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applications The PS04P30SB uses advanced trench technology Load switch and design to provide excellent Rds(on) with low Power management gate charge and operation with gate vol

Другие IGBT... PPMT30V3, PPMT30V4, PPMT32V4, PPMT50V02, PPMUT20V3, PS03N20SA, PS03P20SA, PS04N20SA, 8N60, PS04P30SB, PS05N20DA, PS06N20DA, PS06N20DEA, PS06N30SA, PS06P30DA, PS06P30SA, PS20N600A