PS04P30SB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PS04P30SB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PS04P30SB

PS04P30SB Datasheet (PDF)

..1. Size:337K prospower
ps04p30sb.pdf

PS04P30SB 30V Single Channel PMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS04P30SB 30V Single Channel PMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applicationsThe PS04P30SB uses advanced trench technology Load switchand design to provide excellent Rds(on) with low Power managementgate charge and operation with gate vol

6.1. Size:353K prospower
ps04p30sa.pdf

PS04P30SA 30V Single Channel PMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS04P30SA 30V Single Channel PMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applicationsThe PS04P30SA uses advanced trench technology Load switchand design to provide excellent Rds(on) with low Power managementgate charge and operation with gate vol

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Liste

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