PS04P30SB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PS04P30SB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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PS04P30SB datasheet

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PS04P30SB

PS04P30SB 30V Single Channel PMOSEFT Revision 1.0 Update Date Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., Ltd PS04P30SB 30V Single Channel PMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applications The PS04P30SB uses advanced trench technology Load switch and design to provide excellent Rds(on) with low Power management gate charge and operation with gate vol

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PS04P30SB

PS04P30SA 30V Single Channel PMOSEFT Revision 1.0 Update Date Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., Ltd PS04P30SA 30V Single Channel PMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applications The PS04P30SA uses advanced trench technology Load switch and design to provide excellent Rds(on) with low Power management gate charge and operation with gate vol

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