PS04P30SB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PS04P30SB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.3 nC
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
PS04P30SB Datasheet (PDF)
ps04p30sb.pdf
PS04P30SB 30V Single Channel PMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS04P30SB 30V Single Channel PMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applicationsThe PS04P30SB uses advanced trench technology Load switchand design to provide excellent Rds(on) with low Power managementgate charge and operation with gate vol
ps04p30sa.pdf
PS04P30SA 30V Single Channel PMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS04P30SA 30V Single Channel PMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applicationsThe PS04P30SA uses advanced trench technology Load switchand design to provide excellent Rds(on) with low Power managementgate charge and operation with gate vol
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HM60N04
History: HM60N04
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918