PS06P30SA Todos los transistores

 

PS06P30SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PS06P30SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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PS06P30SA Datasheet (PDF)

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PS06P30SA

PS06P30SA 30V Single Channel PMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS06P30SA 30V Single Channel PMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applicationsThe PS06P30SA uses advanced trench technology Load switchand design to provide excellent Rds(on) with low Power managementgate charge and operation with gate vol

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PS06P30SA

PS06P30DA 30V Dual Channel PMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS06P30DA 30V Dual Channel PMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applicationsThe PS06P30DA uses advanced trench technology Load switchand design to provide excellent Rds(on) with low Power managementgate charge and operation with gate voltage

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