PS06P30SA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PS06P30SA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для PS06P30SA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PS06P30SA даташит

 ..1. Size:401K  prospower
 ps06p30sa.pdf pdf_icon

PS06P30SA

PS06P30SA 30V Single Channel PMOSEFT Revision 1.0 Update Date Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., Ltd PS06P30SA 30V Single Channel PMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applications The PS06P30SA uses advanced trench technology Load switch and design to provide excellent Rds(on) with low Power management gate charge and operation with gate vol

 7.1. Size:415K  prospower
 ps06p30da.pdf pdf_icon

PS06P30SA

PS06P30DA 30V Dual Channel PMOSEFT Revision 1.0 Update Date Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., Ltd PS06P30DA 30V Dual Channel PMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applications The PS06P30DA uses advanced trench technology Load switch and design to provide excellent Rds(on) with low Power management gate charge and operation with gate voltage

Другие IGBT... PS04N20SA, PS04P30SA, PS04P30SB, PS05N20DA, PS06N20DA, PS06N20DEA, PS06N30SA, PS06P30DA, 7N60, PS20N600A, PS4953A, PS60N60, PS75N75, PS75N75A, PS8205A, PS8205B, PS90N80