PSMG150-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PSMG150-01
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 165 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 400 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: ECO-PAC2
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PSMG150-01
PSMG150-01 Datasheet (PDF)
psmg150-01.pdf
ECO-PACTM 2Power MOSFETVDSS = 100 Vin ECO-PAC 2PSMG 150/01* ID25 = 165 ARDS(on) = 8 mX18Single MOSFET DieI K10/11 A1 L N 8/9trr
psmg100-05.pdf
ECO-PACTM 2Power MOSFETID25 = 82 APSMG 100/05*VDSS = 500 Vin ECO-PAC 2RDSon = 50 mX18Single MOSFET DieI K10 A1 L N 9Preliminary Data SheetK13 K15*NTC optionalMOSFETSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VFeaturesID25 T
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Liste
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