PSMG150-01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PSMG150-01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 165 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: ECO-PAC2

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PSMG150-01 datasheet

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PSMG150-01

ECO-PACTM 2 Power MOSFET VDSS = 100 V in ECO-PAC 2 PSMG 150/01* ID25 = 165 A RDS(on) = 8 m X18 Single MOSFET Die I K10/11 A1 L N 8/9 trr

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PSMG150-01

ECO-PACTM 2 Power MOSFET ID25 = 82 A PSMG 100/05* VDSS = 500 V in ECO-PAC 2 RDSon = 50 m X18 Single MOSFET Die I K10 A1 L N 9 Preliminary Data Sheet K13 K15 *NTC optional MOSFET Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V Features ID25 T

Otros transistores... PS4953A, PS60N60, PS75N75, PS75N75A, PS8205A, PS8205B, PS90N80, PSMG100-05, RU7088R, PSMG50-05, PSMG60-08, PSMN003-30B, PSMN003-30P, PSMN004-36B, PSMN004-55W, PSMN005-25D, PSMN005-55B