PSMG150-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PSMG150-01
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 165 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: ECO-PAC2
Búsqueda de reemplazo de PSMG150-01 MOSFET
PSMG150-01 Datasheet (PDF)
psmg150-01.pdf

ECO-PACTM 2Power MOSFETVDSS = 100 Vin ECO-PAC 2PSMG 150/01* ID25 = 165 ARDS(on) = 8 mX18Single MOSFET DieI K10/11 A1 L N 8/9trr
psmg100-05.pdf

ECO-PACTM 2Power MOSFETID25 = 82 APSMG 100/05*VDSS = 500 Vin ECO-PAC 2RDSon = 50 mX18Single MOSFET DieI K10 A1 L N 9Preliminary Data SheetK13 K15*NTC optionalMOSFETSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VFeaturesID25 T
Otros transistores... PS4953A , PS60N60 , PS75N75 , PS75N75A , PS8205A , PS8205B , PS90N80 , PSMG100-05 , AON7403 , PSMG50-05 , PSMG60-08 , PSMN003-30B , PSMN003-30P , PSMN004-36B , PSMN004-55W , PSMN005-25D , PSMN005-55B .
History: RU40190S | SK840319 | IRF7504 | BVSS123LT1G | DG2N65-252 | 2SJ248
History: RU40190S | SK840319 | IRF7504 | BVSS123LT1G | DG2N65-252 | 2SJ248



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458