PSMG150-01 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PSMG150-01
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 165 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3200 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: ECO-PAC2
Аналог (замена) для PSMG150-01
PSMG150-01 Datasheet (PDF)
psmg150-01.pdf
ECO-PACTM 2Power MOSFETVDSS = 100 Vin ECO-PAC 2PSMG 150/01* ID25 = 165 ARDS(on) = 8 mX18Single MOSFET DieI K10/11 A1 L N 8/9trr
psmg100-05.pdf
ECO-PACTM 2Power MOSFETID25 = 82 APSMG 100/05*VDSS = 500 Vin ECO-PAC 2RDSon = 50 mX18Single MOSFET DieI K10 A1 L N 9Preliminary Data SheetK13 K15*NTC optionalMOSFETSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VFeaturesID25 T
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: HFS8N70S
History: HFS8N70S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918