PSMG150-01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PSMG150-01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 165 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: ECO-PAC2

Аналог (замена) для PSMG150-01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSMG150-01 даташит

 ..1. Size:137K  powersem
 psmg150-01.pdf pdf_icon

PSMG150-01

ECO-PACTM 2 Power MOSFET VDSS = 100 V in ECO-PAC 2 PSMG 150/01* ID25 = 165 A RDS(on) = 8 m X18 Single MOSFET Die I K10/11 A1 L N 8/9 trr

 9.1. Size:117K  powersem
 psmg100-05.pdf pdf_icon

PSMG150-01

ECO-PACTM 2 Power MOSFET ID25 = 82 A PSMG 100/05* VDSS = 500 V in ECO-PAC 2 RDSon = 50 m X18 Single MOSFET Die I K10 A1 L N 9 Preliminary Data Sheet K13 K15 *NTC optional MOSFET Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V Features ID25 T

Другие IGBT... PS4953A, PS60N60, PS75N75, PS75N75A, PS8205A, PS8205B, PS90N80, PSMG100-05, RU7088R, PSMG50-05, PSMG60-08, PSMN003-30B, PSMN003-30P, PSMN004-36B, PSMN004-55W, PSMN005-25D, PSMN005-55B