WT3139K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WT3139K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm

Encapsulados: SOT-723

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WT3139K datasheet

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WT3139K

WT3139K Surface Mount P-Channel MOSFET P b Lead(Pb)-Free 3 1 1. Gate 2 2. Source Features 3. Drain * Surface Mount Package SOT-723 * P-Channel Switch with Low R (on) DS * Operated at Low Logic Level Gate Drive Applications 3 * Load/Power Switching * Interfacing, Logic Switching * Battery Management for Ultra Small Portable Electronics 1 2 Maximum Ratings(T =25 C Unless Oth

Otros transistores... PSMN012-25YLC, PSMN012-80BS, PSMN013-100XS, PSMN013-100YSE, PSMN013-30MLC, PSMN015-60BS, PSMN016-100BS, WPH4003, IRF3710, WTC3401, WTX1013, WVM11N80, WVM12N10, WVM13N50, WVM15N20, WVM15N40, WVM15N45