WT3139K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WT3139K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-723
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WT3139K
WT3139K Datasheet (PDF)
..1. Size:154K wietron
wt3139k.pdf
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WT3139KSurface Mount P-Channel MOSFETP b Lead(Pb)-Free311. Gate22. SourceFeatures:3. Drain* Surface Mount PackageSOT-723* P-Channel Switch with Low R (on)DS* Operated at Low Logic Level Gate DriveApplications: 3* Load/Power Switching* Interfacing, Logic Switching* Battery Management for Ultra Small Portable Electronics1 2Maximum Ratings(T =25 C Unless Oth
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
