WT3139K Todos los transistores

 

WT3139K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WT3139K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-723
 

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WT3139K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  wietron
 wt3139k.pdf pdf_icon

WT3139K

WT3139KSurface Mount P-Channel MOSFETP b Lead(Pb)-Free311. Gate22. SourceFeatures:3. Drain* Surface Mount PackageSOT-723* P-Channel Switch with Low R (on)DS* Operated at Low Logic Level Gate DriveApplications: 3* Load/Power Switching* Interfacing, Logic Switching* Battery Management for Ultra Small Portable Electronics1 2Maximum Ratings(T =25 C Unless Oth

Otros transistores... PSMN012-25YLC , PSMN012-80BS , PSMN013-100XS , PSMN013-100YSE , PSMN013-30MLC , PSMN015-60BS , PSMN016-100BS , WPH4003 , P55NF06 , WTC3401 , WTX1013 , WVM11N80 , WVM12N10 , WVM13N50 , WVM15N20 , WVM15N40 , WVM15N45 .

History: 2SK400 | IXFK80N50P | 2SK2000-R | NDT18N06 | ME35N10-G | APTC60HM70SCTG | GSM4925W

 

 
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