WT3139K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WT3139K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-723
Búsqueda de reemplazo de WT3139K MOSFET
WT3139K Datasheet (PDF)
wt3139k.pdf

WT3139KSurface Mount P-Channel MOSFETP b Lead(Pb)-Free311. Gate22. SourceFeatures:3. Drain* Surface Mount PackageSOT-723* P-Channel Switch with Low R (on)DS* Operated at Low Logic Level Gate DriveApplications: 3* Load/Power Switching* Interfacing, Logic Switching* Battery Management for Ultra Small Portable Electronics1 2Maximum Ratings(T =25 C Unless Oth
Otros transistores... PSMN012-25YLC , PSMN012-80BS , PSMN013-100XS , PSMN013-100YSE , PSMN013-30MLC , PSMN015-60BS , PSMN016-100BS , WPH4003 , P55NF06 , WTC3401 , WTX1013 , WVM11N80 , WVM12N10 , WVM13N50 , WVM15N20 , WVM15N40 , WVM15N45 .
History: 2SK400 | IXFK80N50P | 2SK2000-R | NDT18N06 | ME35N10-G | APTC60HM70SCTG | GSM4925W
History: 2SK400 | IXFK80N50P | 2SK2000-R | NDT18N06 | ME35N10-G | APTC60HM70SCTG | GSM4925W



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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