WT3139K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WT3139K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
Тип корпуса: SOT-723
WT3139K Datasheet (PDF)
wt3139k.pdf
WT3139KSurface Mount P-Channel MOSFETP b Lead(Pb)-Free311. Gate22. SourceFeatures:3. Drain* Surface Mount PackageSOT-723* P-Channel Switch with Low R (on)DS* Operated at Low Logic Level Gate DriveApplications: 3* Load/Power Switching* Interfacing, Logic Switching* Battery Management for Ultra Small Portable Electronics1 2Maximum Ratings(T =25 C Unless Oth
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918