WTC3401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTC3401
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
- Selección de transistores por parámetros
WTC3401 Datasheet (PDF)
wtc3401.pdf

WTC34013 DRAINP-Channel Enhancement DRAIN CURRENTMode Power MOSFET -4.2 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE1-30 VOLTAGEGATE2SOURCE3Features:*Advanced trench process technology1 *High Density Cell Design For Ultra Low 2On-ResistanceSOT-23Maximum Ratings(TA=25 Unless Otherwise Specified)Rating Symbol Value UnitDrain-Source Voltage -30 VDSV Gate-Source Vo
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History: SVS65R380DD4TR | FDMQ8203 | AOB418 | 2SJ665 | WVM13N50 | SL3N06
History: SVS65R380DD4TR | FDMQ8203 | AOB418 | 2SJ665 | WVM13N50 | SL3N06



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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