WVM21N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WVM21N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 120 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
WVM21N50 Datasheet (PDF)
wvm21n50.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM21N50(IRF460)Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power s
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: NTB5405N | SSG4394N | ZVNL120ASTOA | HUF75623P3 | AON3806 | TK12A65D | STS4DPF30L
History: NTB5405N | SSG4394N | ZVNL120ASTOA | HUF75623P3 | AON3806 | TK12A65D | STS4DPF30L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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