WVM21N50 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WVM21N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WVM21N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 120 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: TO3

Búsqueda de reemplazo de WVM21N50 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

WVM21N50 datasheet

..1. Size:23K shaanxi
wvm21n50.pdf pdf_icon

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM21N50(IRF460) Power MOSFET(N-channel) Transistor Features 1. It s voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power s

Otros transistores... WVM15N20, WVM15N40, WVM15N45, WVM15N50, WVM15N60, WVM18N20, WVM20N50, WVM20N8, 2N7002, WVM25N40, WVM28N10, WVM3.9N100, WVM30N10, WVM30N20, WVM30N30, WVM3N10, WVM3N30

History: SVF6N60F

🌐 : EN ES РУ

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

WVM21N50 Todos los transistores