WVM3N30 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WVM3N30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WVM3N30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm

Encapsulados: TO3

Búsqueda de reemplazo de WVM3N30 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

WVM3N30 datasheet

..1. Size:23K shaanxi
wvm3n30.pdf pdf_icon

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM3N30(New) Power MOSFET(N-channel) Transistor Features 1. It s voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards GJB33A-97, QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of

9.1. Size:23K shaanxi
wvm3n10.pdf pdf_icon

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM3N10 Power MOSFET(N-channel) Transistor Features 1. It s voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power source con

Otros transistores... WVM21N50, WVM25N40, WVM28N10, WVM3.9N100, WVM30N10, WVM30N20, WVM30N30, WVM3N10, SPP20N60C3, WVM40N20, WVM4N20, WVM4N50, WVM55N10, WVM6N100, WVM7N12, WVM8N20, WVM8N60

History: IRL520NLPBF

🌐 : EN ES РУ

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

WVM3N30 Todos los transistores